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產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 - 3 個獨立式 1200V 380A 底座安裝 AG-HYBRIDD-2
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 - 3 個獨立式 1200V 380A 底座安裝 AG-HYBRIDD-2
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 1200V 380A 870W 底座安裝 AG-HYBRIDD-1
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 900 A 底座安裝 AG-ECONOD
封裝:MODULE產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:采用TO-263-7封裝的1700V CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-263-7產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:650V CoolSiC? MOSFET – 碳化硅(SiC)MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說明:采用TO247-4封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET
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