商品名稱:PIC18F46Q71-I/MP
數(shù)據(jù)手冊:PIC18F46Q71-I/MP.pdf
品牌:Microchip
年份:23+
封裝:40-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PIC18F46Q71-I/MP采用 28/40/44/48 引腳器件,適用于高帶寬混合信號和傳感器應用。這是照明、電機控制和醫(yī)療細分市場的理想解決方案。該器件系列還模擬外設管理器,用于管理模擬外設,優(yōu)化功耗。還具有 8 位虛擬端口模塊,可在不使用外部引腳的情況下互連數(shù)字外設。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:PIC
內核規(guī)格:8 位
速度:64MHz
連接能力:FIFO,I2C,SPI,UART/USART
外設:欠壓檢測/復位,DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):37
程序存儲容量:64KB(64K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:256 x 8
RAM 大?。?K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.8V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 35x12b SAR; D/A 2x8b,1x10b
振蕩器類型:外部,內部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:40-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:40-QFN(5x5)
應用
● 混合信號邊緣節(jié)點和單芯片應用中的模擬和數(shù)字傳感器
● 照明
● 電機控制
● 醫(yī)療
● 家居自動化
● 汽車
● 物聯(lián)網(wǎng) (IoT)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
LFQFP-100
1300
M16C/60 M16C? M16C/60/65 微控制器 IC 16 位 32MHz 768KB (768K x 8) FLASH 100-LFQFP (14x14)
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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Microchip Technology Incorporated(納斯達克股市代號:MCHP)美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商,為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來,就密切關注嵌入控制半導體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術,是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術,是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程,實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡,使其與其他 IGBT 技術相比,具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT,主要應用于功率控制領域?;緟?shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.85V @ 15V,75A…APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),具有FLANGE MOUNT結構,適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(…電話咨詢:86-755-83294757
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