商品名稱:NFMECS640A0
數(shù)據(jù)手冊(cè):NFMECS640A0.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:WQFN-65
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NFMECS640A0無(wú)傳感器BLDC ecoSpin電機(jī)控制器是一款三相BLDC可配置電機(jī)控制系統(tǒng)。
產(chǎn)品屬性
電機(jī)類型 - 步進(jìn): 多相
電機(jī)類型 - AC,DC: 無(wú)刷 DC(BLDC)
功能: 控制器 - 速度
輸出配置: 前置驅(qū)動(dòng)器 - 半橋(3)
接口: PWM,UART
技術(shù): IGBT,功率 MOSFET
應(yīng)用: 通用
電流 - 輸出: 650mA
電壓 - 供電: 3V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 65-WFQFN 裸焊盤(pán)模塊
供應(yīng)商器件封裝: 65-GAQFN(13x10)
基本產(chǎn)品編號(hào): NFMECS640
應(yīng)用
三相無(wú)刷直流(BLDC)無(wú)傳感器電機(jī)控制
三相無(wú)刷直流(BLDC)傳感器電機(jī)控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HTSS0P-28
50000
具有電流調(diào)節(jié)和 PWM 控制功能的 45V、2.5A 雙極步進(jìn)或兩路 H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動(dòng)至超出電源軌 200mV 的高電平,而輸出不會(huì)發(fā)生相位反轉(zhuǎn),輸出可在每個(gè)軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動(dòng)。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低(+/- 0.9 V),但可…NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時(shí)鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號(hào): LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過(guò)AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅(jiān)固且具有成本效益的場(chǎng)停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能,具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開(kāi)關(guān)損耗,優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞男阅堋<夹g(shù)…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅(jiān)固、高性價(jià)比的場(chǎng)終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提供出色的性能。低導(dǎo)通電壓和最小開(kāi)關(guān)損耗在汽車應(yīng)用中提供最佳的硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)湫阅堋<夹g(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應(yīng)用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場(chǎng)終止型第7代IGBT技術(shù)和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗,可在太陽(yáng)能逆變器、UPS和ESS等各種應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效率運(yùn)行。技術(shù)規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢:86-755-83294757
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