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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:NVMYS3D3N06CLTWG

商品名稱:NVMYS3D3N06CLTWG

數(shù)據(jù)手冊:NVMYS3D3N06CLTWG.PDF

品牌:ON

年份:23+

封裝:SOT-1023

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價

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技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NVMYS3D3N06CLTWG
封裝
SOT-1023
描述
表面貼裝型 N 通道 60 V 26A(Ta),133A(Tc) 3.9W(Ta),100W(Tc) LFPAK4(5x6)

產(chǎn)品描述

NVMYS3D3N06CLTWG是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的單N通道MOSFET,占位面積小 (5mm x 6mm),非常適合用于緊湊型設(shè)計。這些器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,并具有低柵極電荷和電容,可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。這些汽車級功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,具有較寬的工作溫度范圍(-55°C至+175°)。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),133A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 50A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):40.7 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2880 pF @ 25 V

功率耗散(最大值):3.9W(Ta),100W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:LFPAK4(5x6)

封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK


應(yīng)用

● 汽車

● 不間斷電源

● 太陽能逆變器

● 電機(jī)驅(qū)動器

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常見問題

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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