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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號(hào):PSMN1R9-80SSEJ

商品名稱:PSMN1R9-80SSEJ

數(shù)據(jù)手冊(cè):PSMN1R9-80SSEJ.pdf

品牌:Nexperia

年份:23+

封裝:SOT-1235

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Nexperia
型號(hào)
PSMN1R9-80SSEJ
封裝
SOT-1235
描述
表面貼裝型 N 通道 80 V 286A(Ta) 340W(Ta) LFPAK88(SOT1235)

產(chǎn)品描述

PSMN1R9-80SSEJ N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)超高性能和可靠性。Nexperia PSMN器件是Nexperia應(yīng)用專用MOSFET (ASFET) 系列的一部分。這些MOSFET專門設(shè)計(jì)用于熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用,工作溫度高達(dá)175°C。這些器件具有低RDSon和增強(qiáng)的安全工作區(qū)性能,因此非常適合用于要求苛刻的電源管理應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):80 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):286A(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.9 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):232 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):17140 pF @ 40 V

功率耗散(最大值):340W(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:LFPAK88(SOT1235)

封裝/外殼:SOT-1235


應(yīng)用

● 熱插拔

● 負(fù)載開關(guān)

● 軟啟動(dòng)

● 電熔絲

● 電信和計(jì)算系統(tǒng),基于48V背板/電源軌

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常見問題

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  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

Nexperia

Nexperia

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…

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