商品名稱:CY8C4128LQI-BL583
數(shù)據(jù)手冊(cè):CY8C4128LQI-BL583.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:QFN-56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CY8C4128LQI-BL583 是一種可擴(kuò)展、可重構(gòu)的平臺(tái)架構(gòu),適用于采用 Arm? Cortex?-M0 CPU 的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器系列。它將可編程和可重新配置的模擬和數(shù)字模塊與靈活的自動(dòng)路由相結(jié)合。
產(chǎn)品特性
- 32 位 MCU 子系統(tǒng)
- 24MHz Arm? Cortex?-M0 CPU,具有單周期乘法功能
- 高達(dá) 256 KB 的閃存,帶讀取加速器
- 高達(dá) 32 KB 的 SRAM
- Bluetooth? LE 無線電和子系統(tǒng)
- 2.4GHz 射頻收發(fā)器,支持 Bluetooth? LE 4.2 和 50Ω 天線驅(qū)動(dòng)
- 數(shù)字 PHY
- 鏈路層引擎,支持主模式和從模式
- 射頻輸出功率:-18 dBm 至 +3 dBm
- 接收靈敏度:-89 dBm
- RX 電流:16.4 mA
- 發(fā)送電流:0 dBm 時(shí) 15.6 mA
- 接收信號(hào)強(qiáng)度指示 (RSSI):1dB 分辨率
- 電源管理
- 激活模式: 執(zhí)行 3 MHz 閃存程序時(shí)為 1.7 mA
- 深度睡眠模式 手表晶體振蕩器 (WCO) 開啟時(shí):1.3 μA
- 休眠模式: 保留 RAM 時(shí) 150 nA
- 停止模式: 60 nA
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Cypress
QFN-40
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB(16K x 8) 閃存 40-QFN(6x6)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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