商品名稱：NTTFD9D0N06HLTWG
數(shù)據(jù)手冊：
NTTFD9D0N06HLTWG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-WQFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NTTFD9D0N06HLTWG采用雙封裝，包含兩個專用 N 溝道 MOSFET。開關(guān)節(jié)點(diǎn)采用內(nèi)部連接，以使同步降壓轉(zhuǎn)換器的安置和布線更為簡便?？刂?MOSFET（Q2）和同步 MOSFET（Q1）的設(shè)計(jì)可提供最佳的功率效率。
產(chǎn)品屬性
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）：60V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Ta），38A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：9 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13.5nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：948pF @ 30V
功率 - 最大值：1.7W（Ta），26W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：12-PowerWQFN
供應(yīng)商器件封裝：12-WQFN（3.3x3.3）
應(yīng)用
● 計(jì)算
● 通信
● 通用負(fù)載點(diǎn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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NVTFS4823NTWG
NVTFS4823NTWG 是一款采用 3x3mm 平面引腳封裝的汽車用功率 MOSFET，專為緊湊高效的設(shè)計(jì)而優(yōu)化，并具備卓越的熱性能。提供可潤濕側(cè)邊選項(xiàng)，以增強(qiáng)光學(xué)檢測能力。該 MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，并支持 PPAP，適用于汽車應(yīng)用。NVTFS4823NTWG 規(guī)格晶體管極性：N 溝道 通道數(shù)…
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NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平，而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn)，輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低（+/- 0.9 V），但可…
NB6N11SMNG
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AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認(rèn)證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅(jiān)固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關(guān)應(yīng)用中提供卓越的性能，具有低導(dǎo)通狀態(tài)電壓和最小的開關(guān)損耗，優(yōu)化了在汽車應(yīng)用中硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)涞男阅?。技術(shù)…電話咨詢：86-755-83294757
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