商品名稱:IMZA65R072M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA65R072M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5800 件
IMZA65R072M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過最大限度地發(fā)揮碳化硅強大的物理特性,從而增強了設(shè)備性能、穩(wěn)健性和易用性等獨特優(yōu)勢。
產(chǎn)品屬性
系列: CoolSiC?
包裝: 管件
FET 類型: N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :28A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 94 毫歐 @ 13.3A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 22 nC @ 18 V
Vgs(最大值): +23V,-5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 744 pF @ 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 96W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO247-4-3
封裝/外殼: TO-247-4
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信系統(tǒng)
SMPS
太陽能系統(tǒng)
儲能和電池信息
UPS
電動汽車充電
電機驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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