商品名稱:NVBG070N120M3S
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVBG070N120M3S.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7L
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是設(shè)計(jì)用于快速開關(guān)應(yīng)用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。該MOSFET由18V柵極驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)時(shí)可提供最佳性能,但也可與15V柵極驅(qū)動(dòng)配合使用。具有57nC超低柵極電荷、57pF高速開關(guān)(電容低)以及65mΩ典型漏極-源極導(dǎo)通電阻(VGS=18V時(shí))。
特點(diǎn)
● 典型值 RDS(on) = 65 m @ VGS = 18 V
● 超低柵極電荷 (QG(tot) = 57 nC)
● 高速開關(guān),低電容(Coss = 57 pF)
● 100% 通過雪崩測(cè)試
● 通過 AEC-Q101 認(rèn)證和 PPAP 認(rèn)證
● 該器件不含鹵化物,符合 RoHS 7a 豁免要求、
● 無鉛 2LI(在第二層互連上)
應(yīng)用
● 汽車板載充電器
● 用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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