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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):ISP75DP06LM

商品名稱:ISP75DP06LM

數(shù)據(jù)手冊(cè):ISP75DP06LM.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:PG-SOT223-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
ISP75DP06LM
封裝
PG-SOT223-4
描述
表面貼裝型 P 通道 60 V 1.1A(Ta) 1.8W(Ta),4.2W(Tc) PG-SOT223-4

產(chǎn)品描述

ISP75DP06LM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)新選項(xiàng),以便在優(yōu)化性能的同時(shí)簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。


產(chǎn)品屬性

FET 類型:P 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):1.1A(Ta)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):750 毫歐 @ 1.1A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 77μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):4 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):120 pF @ 30 V

功率耗散(最大值):1.8W(Ta),4.2W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4

封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA


應(yīng)用

● 電池保護(hù)

● 反極性保護(hù)

● 線性電池充電器

● 負(fù)載開關(guān)

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 低壓驅(qū)動(dòng)

相關(guān)聯(lián)產(chǎn)品

型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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