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IPW65R018CFD7擴展了 CFD7 系列提供的電壓等級，是 650VCoolMOS?CFD2 的成功補充。CFD7 系列產(chǎn)品的電壓等級，并成為 650VCoolMOS?CFD2 的成功替代產(chǎn)品。開關性能和優(yōu)異的熱性能得到了改善。在諧振開關拓撲結構（如LLC和相移全橋（ZVS））中具有最高的效率。作為英飛凌快體二極管產(chǎn)品組合的一部分，這一新產(chǎn)品系列融合了快開關的所有優(yōu)勢。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：106A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 58.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 2.91mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：234 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11659 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：446W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 適用于軟開關拓撲結構

● 優(yōu)化用于移相全橋（ZVS）、LLC 應用--服務器、電信、EVC 充電、太陽能

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