商品名稱:IMW120R007M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊:IMW120R007M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:240 件
IMW120R007M1H 采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復損耗、關斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構,如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開關損耗和導通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關斷柵極電壓,實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動
寬柵源電壓范圍
堅固的低損耗體二極管,適用于硬開關
關斷損耗受溫度影響小
.XT擴散焊技術,可實現(xiàn)一流的熱性能
應用領域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機控制和驅(qū)動
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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