商品名稱:NTMFS5C468NLT1G
數(shù)據(jù)手冊:NTMFS5C468NLT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NTMFS5C468NLT1G 是 40V、37A 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 37A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 10.3 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 7.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 570 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 3.5W(Ta),28W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼 8-PowerTDFN,5 引線
產(chǎn)品特性
小尺寸(5x6 毫米),適合緊湊型設(shè)計
低 RDS(on),將傳導損耗降至最低
低 QG 和電容,將驅(qū)動器損耗降至最低
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關(guān)應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關(guān)損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲性能。技術(shù)參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ,主要應用于電力電子設(shè)備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格:配置:Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V集電極—射極飽和電壓:1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓:- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流:80 APd-功率耗散:115 W…FGY4L75T120SWD
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