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STH30N65DM6-7AG N通道功率MOSFET是MDmesh? DM6快速恢復二極管的組成部分。該款汽車級N通道功率MOSFET具有極低恢復電荷 (Qrr)、極短恢復時間 (trr) 以及低RDS(on)。該功率MOSFET適用于要求極為苛刻的高效轉(zhuǎn)換器，并且是橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：28A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：115 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2000 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：223W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：H2PAK-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

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