商品名稱:VS-3C08EV07T-M3/I
品牌:VISHAY
年份:24+
封裝:TO-252-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
VS-3C08EV07T-M3/I - 650V、8A 功率 SiC 第 3 代合并式 PIN 肖特基二極管
產(chǎn)品描述
VS-3C08EV07T-M3/I - 基于 SiC 的寬帶隙 650 V 肖特基二極管,專為高性能和堅固耐用而設計。它是在寬溫度范圍內實現(xiàn)高速硬開關和高效運行的最佳選擇,還推薦用于所有需要硅超快恢復行為的應用。典型應用包括 FBPS 和 LLC 轉換器中的 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高頻輸出整流。
產(chǎn)品特性
最小爬電和間隙距離為 2.8 毫米
外形非常小巧,典型高度為 1.3 毫米
在碳化硅寬帶隙材料上采用肖特基技術的主要載流子二極管
采用薄晶圓技術,提高了 VF 和效率
正 VF 溫度系數(shù),便于并聯(lián)
幾乎無恢復尾跡,無開關損耗
開關行為不受溫度影響
最高工作結溫為 175 °C
MPS 結構對正向電流浪涌事件具有高耐受性
符合 JESD 201 2 級晶須測試標準
符合 J-STD-020 的 MSL 1 級標準,LF 最大峰值為 260 °C
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Vishay 成立于1962,是世界最大的分立半導體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè), 計算機, 汽車, 消費, 電信, 軍事, 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備中。Vishay 的全球足跡包括在中國, 亞洲其他五個國家/地區(qū), 歐洲及美洲設立的制造機構,以及在全球…
VS-GT75LA60UF
VS-GT75LA60UF - 600V、81A、231W 溝槽現(xiàn)場止動單斬波器 IGBT 模塊,底座安裝 SOT-227VS-GT75LA60UF - 產(chǎn)品描述:VS-GT75LA60UF 是 600V、81A、231W "低側斬波 "IGBT 模塊,采用 SOT-227 封裝,底座安裝。VS-GT75LA60UF - 主要特性:溝槽式 IGBT 技術開關頻率高…VS-GT100LA65UF
VS-GT100LA65UF - 650V、100A "低側斬波 "IGBT 模塊,SOT-227VS-GT100LA65UF - 產(chǎn)品屬性:IGBT 類型:溝槽場截止配置:單斬波器電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):94 A功率 - 最大值:230 WVce(on) (最大值) @ Vge,Ic…VCNL36826S
VCNL36826S - 帶中斷、VCSEL 和 I2C 接口的接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36826S 在一個小型封裝中集成了一個接近傳感器 (PS) 和一個 VCSEL。它采用 CMOS 工藝將光電二極管、放大器和模數(shù)轉換電路集成到單個芯片中。PS 的可編程中斷功能具有獨立的高低閾值,可最大限度地利用微控…VCNL36828PN3OQ
VCNL36828PN3OQ 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封裝、小窗口尺寸和短距離操作的接近檢測應用而開發(fā)。此外,考慮到 1.8 V 的典型額定電源電壓…VCNL36828P
VCNL36828P - 采用 VCSEL、低空閑電流、I2C 接口和智能雙從屬地址的小型封裝接近傳感器產(chǎn)品描述VCNL36828P 是一款完全集成的接近傳感器。它在單個封裝內集成了垂直腔表面發(fā)射激光器 (VCSEL)、光電二極管和專用集成電路 (ASIC)。VCNL36828P 專為需要雙從地址、低功耗、小封…VCNL40303X01-GS08
VCNL40303X01-GS08接近和環(huán)境光傳感器在一個小型封裝中集成了接近傳感器 (PS)、環(huán)境光傳感器 (ALS) 和大功率IRED。電話咨詢:86-755-83294757
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