C3M0025065L - 650V、25mΩ、77A 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TOLL 封裝
產(chǎn)品描述
C3M0025065L 是采用 TOLL 封裝的 650V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。Wolfspeed 通過推出第三代 650 V MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)方面的領(lǐng)先優(yōu)勢,從而在更廣泛的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)了更小、更輕和更高效的功率轉(zhuǎn)換。650 V MOSFET 產(chǎn)品系列是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss) 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 77A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值) 34 毫歐 @ 33.5A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3.6V @ 9.22mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 111 nC @ 15 V
Vgs(最大值) -8V,+19V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 2970 pF @ 400 V
功率耗散(最大值) 326W(Tc)
工作溫度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…HAS530M12BM3
HAS530M12BM3是一款1200 V、2.67 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè) HV-H3TRB 認(rèn)證的SiC 功率模塊,主要用于感應(yīng)加熱、電機驅(qū)動、能源發(fā)電、智能電網(wǎng)、鐵路、電動汽車快速充電等高頻工業(yè)應(yīng)用?領(lǐng)域。HAS530M12BM3模塊的特性漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):530…CHB011M12GM4
CHB011M12GM4是一款1200V,100A的T型工業(yè)級碳化硅(SiC)模塊,主要用于工業(yè)領(lǐng)域,特別是需要高性能、高可靠性的應(yīng)用場景。其低電感和穩(wěn)健的布局使其在惡劣環(huán)境下表現(xiàn)出色,適合各種工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)。CHB011M12GM4具有以下規(guī)格:技術(shù):碳化硅(SiC)配置:4 個 N 通…CAB004M12GM4
CAB004M12GM4是一款1200 V / 200A的碳化硅(SiC)功率模塊,由Wolfspeed公司生產(chǎn),主要用于各種工業(yè)應(yīng)用,特別是在需要高效、高可靠性的電力電子系統(tǒng)中。CAB004M12GM4具有以下規(guī)格參數(shù):技術(shù):碳化硅(SiC)配置:2 個 N 通道(半橋)FET 功能:-漏源電壓(Vdss):1200V…HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計超低損耗、高頻運行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…電話咨詢:86-755-83294757
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