CY15B116QSN-108BKXI - 高性能 16Mb 四路 SPI 串行鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) IC
產品概覽
CY15B116QSN-108BKXI 是一款采用先進鐵電工藝的高性能 16-Mb 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。存儲器陣列的邏輯組織方式為 2,097,152 × 8 位,可使用行業(yè)標準串行外設接口 (SPI) 總線進行訪問。
主要特點
- 16-Mb 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結構為 2048K x 8
- SPI 時鐘頻率
- 高達 108 MHz 頻率的 SPI 單數據速率 (SDR)
- 高達 46 MHz 頻率的 SPI 雙數據速率 (DDR)
- 用于內存讀/寫的就地執(zhí)行(XIP)
- 寫保護、數據安全和數據完整性
- 使用寫保護 (WP) 引腳進行硬件保護
- 專用的 256 字節(jié)特殊扇區(qū) F-RAM
- 高速時功耗低
- 108 MHz SPI SDR 的工作電流為 14 mA(典型值
- 108 MHz QSPI SDR 的 22 mA(典型值)有效電流
- 46 MHz QSPI DDR 的 16.5 mA(典型值)有效電流
- 115 μA(典型值)待機電流
- 1.1 μA(典型值)深度掉電模式電流
- 0.1 μA(典型值) 休眠模式電流
- 低壓運行 - VDD = 1.8 V 至 3.6 V
- 工作溫度:-40°C 至 +85°C
應用
汽車 48 V 電池管理系統(tǒng) (BMS)
可編程邏輯控制器 (PLC)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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