Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時支持更小的電路板尺寸(移動設(shè)備等)。
TH58NVG2S3HTAI0—FLASH - NAND(SLC) 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I
類別: 存儲器
制造商: Kioxia America, Inc.
包裝: 托盤
零件狀態(tài): 在售
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: 閃存
技術(shù): FLASH - NAND(SLC)
存儲容量: 4Gb
存儲器組織: 512M x 8
存儲器接口: 并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁: 25ns
訪問時間: 25 ns
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝: 48-TSOP I
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ISSI
TSOP-48
2000
NAND閃存 SLC NAND,4Gb (x8, 8bit ECC) 3V,48-pin TSOP (Type I) 12x20mm
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(KIOXIA)鎧俠是全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者,致力于開發(fā)、生產(chǎn)和銷售閃存及固態(tài)硬盤(SSD)。東芝公司于1987年發(fā)明了NAND閃存, 2017年4月,鎧俠前身東芝存儲器集團(tuán)從東芝公司剝離,開創(chuàng)了先進(jìn)的存儲解決方案和服務(wù),可豐富人們的生活并擴大社會的視野。鎧俠創(chuàng)新的3D閃存技…
THGBMNG5D1LBAIL
THGBMNG5D1LBAIL 是一款高性能 eMMC 產(chǎn)品,該器件配備了一個集成控制器,該控制器支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版的高速內(nèi)存接口,無需主機處理器直接控制閃存。對于許多由于密度要求較低或處理器尚不支持 UFS 接口而無法遷移到最新一代 UFS 的應(yīng)用來說,e-MMC 仍然是一個重要…THGBMJG6C1LBAB7
THGBMJG6C1LBAB7是一款NAND閃存類型的存儲器,其主要用于手機、平板電腦、消費電子產(chǎn)品及固態(tài)硬盤(SSD)等多種應(yīng)用場合。THGAMRG8T13BAIL
THGAMRG8T13BAIL e-MMC? NAND閃存采用比特列堆疊 (BiCS) FLASH? 3D 技術(shù)。該閃存為需要以經(jīng)濟高效的方式存儲更高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC 閃存完全符合多媒體卡協(xié)會 (MMCA) 高速內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)。這些閃存符合最新的 JEDEC 5.1 版。規(guī)格:產(chǎn)品:TH…TH58NVG2S3HAI0
Kioxia SLC NAND 和 BENAND? 閃存可為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供同類最佳的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。這些器件采用領(lǐng)先的 24 納米生產(chǎn)技術(shù),同時支持更小的電路板尺寸(移動設(shè)備等)。TH58NVG2S3HAI0—FLASH - NAND(SLC) 存儲器 IC 4Gb 并聯(lián) 25 ns 48-TSOP I類別: 存…TH58NYG2S3HBAI4
TH58NYG2S3HBAI4 SLC NAND 高級閃存為敏感或頻繁使用的系統(tǒng)數(shù)據(jù)提供了最先進(jìn)的耐用性和數(shù)據(jù)保留能力。特點SLC NAND 24nm1Gb - 128Gb擴展溫度范圍TSOP 和 BGA 封裝BENAND 24 納米內(nèi)置 ECC SLC NAND1Gb - 8Gb片上 H/W ECC與原始 SLC 相同的可靠性和性能與原始 SLC 相同的硬…THGAMVT0T43BAIR
THGAMVT0T43BAIR廣泛的高性能 e-MMC 產(chǎn)品將閃存和 e-MMC控制器集成在一個 BGA 封裝中,可執(zhí)行糾錯、損耗均衡、邏輯到物理地址轉(zhuǎn)換和壞塊管理等功能。這些解決方案支持符合 JEDEC 5.0/5.1 版標(biāo)準(zhǔn)的高速存儲器接口,無需主機直接控制閃存。產(chǎn)品屬性存儲器類型:非易失存儲器…電話咨詢:86-755-83294757
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