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IPTG025N15NM6：150V，OptiMOS? 6 功率 MOSFET晶體管， 正常電平，采用 TOLG 封裝，具有更高的板載熱循環(huán)性能

型號：IPTG025N15NM6

封裝：PG-HSOG-8

類型：OptiMOS? 6 功率 MOSFET晶體管

IPTG025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），264A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.4 毫歐 @ 120A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-HSOG-8-1

封裝/外殼：8-PowerSMD，鷗翼

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