商品名稱：NTTFD4D0N04HLTWG
數(shù)據(jù)手冊：
NTTFD4D0N04HLTWG.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：WQFN-12
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1100 件
NTTFD4D0N04HLTWG N溝道MOSFET是powertrench?電源夾對稱雙通道MOSFET，采用wqfn12封裝 這些器件包括兩個(gè)專用n溝道MOSFET，采用雙封裝。這些器件的開關(guān)節(jié)點(diǎn)內(nèi)部連接，能夠輕易進(jìn)行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線?？刂苖osfet (Q2) 和同步MOSFET (Q1) 設(shè)計(jì)用于提供最佳功率效率。NTTFD4D0N04HLTWG N溝道MOSFET具有低RDS(on)、低QG和電容以及低導(dǎo)通/驅(qū)動器損耗。
特征
Q1: N-溝道
? 在VGS=10 V、ID=10 A時(shí)，最大rDS(on)=4.5 m
? 在VGS=4.5、ID=8.0 A時(shí)，最大rDS(on)=7 m
Q2: N-通道
? 最大rDS(on) = 4.5 m，VGS = 10 V，ID = 10 A
? 最大rDS(on) = 7 m，VGS = 4.5，ID = 8.0 A時(shí)
? 低電感封裝縮短了上升/下降時(shí)間，從而降低了開關(guān)損耗
? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
典型應(yīng)用
? 計(jì)算機(jī)
? 通訊
? 通用負(fù)載點(diǎn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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