商品名稱:IMBG120R140M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMBG120R140M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMBG120R140M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 140 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET,它基于先進的溝槽工藝,該工藝經過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝,將CoolSiC技術的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術相結合,可在電機驅動、充電模塊以及工業(yè)電源等應用中實現(xiàn)最高效率和被動制冷。
特征描述
極低的開關損耗
短路能力:3 μs
dV/dt完全可控
柵極閾值電壓典型值:VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生導通能力,能夠實現(xiàn)0V關斷
牢固的體二極管,可用于硬開關
.XT互聯(lián)技術,實現(xiàn)一流的熱性能
封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm
Sense引腳,優(yōu)化了開關性能
應用領域
不間斷電源(UPS)
電動汽車快速充電
工業(yè)電機驅動和控制
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:產品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結溫和外殼溫度,從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V,同時不影響可靠性更高的功率密度設…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。技術參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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