這款STW40N95K5超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新型專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計而成。其結(jié)果是大幅降低了導(dǎo)通電阻和超低柵極電荷,適用于要求超高功率密度和高效率的應(yīng)用。
STW40N95K5 功能
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳性能系數(shù) (FoM)
超低柵極電荷
100% 雪崩測試
齊納保護
STW40N95K5 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 950 V
Id-連續(xù)漏極電流: 38 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 93 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
配置: Single
下降時間: 10 ns
上升時間: 51 ns
STW40N95K5 應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32MP157DAB1
STM32MP157DAB1:2核,32位 ARM Cortex-A7 微處理器IC,LFBGA-354型號:STM32MP157DAB1封裝:LFBGA-354類型:32位雙核微處理器ICSTM32MP157DAB1 基于高性能雙核 Arm Cortex-A7 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達 800 MHz。Cortex-A7 處理器包括每個 CPU 的 32-Kbyte L1 指令…STM8S105K4T6C
STM8S105K4T6C 是一款高性能 8 位微控制器,屬于 STM8S 系列。STM32F100VBT6
STM32F100VBT6是32位微控制器,屬于STM32F100xx超值系列,STM32F100xx微控制器集成了高性能 ARMCortex-M3 32 位 RISC 內(nèi)核(工作頻率為 24 MHz)、高速嵌入式存儲器(閃存高達 128 Kbytes,SRAM 高達 8 Kbytes)以及連接到兩個 APB 總線的各種增強型外設(shè)和 I/O。所有器件…STM32L073VBT6
超低功耗 STM32L073VBT6 微控制器集成了通用串行總線(USB 2.0 無晶)的連接能力、工作頻率為 32 MHz 的高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 內(nèi)核、存儲器保護單元 (MPU)、高速嵌入式存儲器(高達 192 Kbytes 的閃存程序存儲器、6 Kbytes 的數(shù)據(jù) EEPROM 和 20 Kbytes 的 RA…STM32F102C8T6
STM32F102C8T6 中密度 USB 接入產(chǎn)品線集成了高性能 Arm Cortex-M3 32 位 RISC 內(nèi)核(工作頻率為 48 MHz)、高速嵌入式存儲器(64 或 128 Kbytes 的閃存和 10 或 16 Kbytes 的 SRAM)以及連接到兩個 APB 總線的各種增強型外設(shè)和 I/O。所有器件都提供標(biāo)準(zhǔn)通信接口(兩個 I2…STM32L151V8T6A
STM32L151V8T6A超低功率微控制器是基于 ARM Cortex-M3 的 STM32,采用 ST 專有的超低漏電工藝技術(shù),具有創(chuàng)新的自主動態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能和 5 個低功率模式,提供了前所未有的平臺靈活性,適用于任何應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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