商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:28-UFQFPN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32C051G6U6 MCU是一款基于Arm Cortex-M0+核心的32位微控制器?,主要應用于消費電子、工業(yè)控制和家用電器等領域,并且適合物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案?。其特性和參數(shù)如下:
主要特性
處理器核心?:STM32C051G6U6基于32位ARM Cortex-M0+架構,其運行頻率為48 MHz?。
內存?:具有高達32KB的閃存和12 KB的SRAM。
電源管理?:工作電壓范圍為1.7 V至3.6 V,支持多種低功耗模式,包括睡眠、停止、待機和關斷模式?。
通信接口?:包含2個USART、定時器、模擬數(shù)字轉換器(ADC)、數(shù)字模擬轉換器(DAC)和通信接口?。
其他特性?:STM32C051G6U6 MCU還支持電壓檢測器、欠壓復位和可編程電壓檢測器等功能?。
關鍵參數(shù)
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+
內核規(guī)格:32-位
速度:48MHz
程序存儲容量:32KB(32K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?2K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:28-UFQFPN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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