L6482HTR器件采用模擬混合信號技術(shù),是一種先進(jìn)的全集成解決方案,適用于以微步方式驅(qū)動兩相雙極步進(jìn)電機(jī)。
L6482HTR它為 N 溝道 MOSFET 功率級集成了一個雙全橋柵極驅(qū)動器,內(nèi)嵌非耗散過流保護(hù)功能。由于采用了新的電流控制,通過自適應(yīng)衰減模式實現(xiàn)了 1/16 微步,其性能優(yōu)于傳統(tǒng)的實現(xiàn)方式。數(shù)字控制內(nèi)核可生成用戶定義的運動曲線,并通過專用寄存器集對加速、減速、速度或目標(biāo)位置進(jìn)行輕松編程。所有應(yīng)用指令和數(shù)據(jù)寄存器,包括用于設(shè)置模擬值(即電流保護(hù)跳閘點、死區(qū)時間、PWM 頻率等)的指令和數(shù)據(jù)寄存器,均通過標(biāo)準(zhǔn)的 5-Mbit/s SPI 發(fā)送。豐富的保護(hù)功能(熱保護(hù)、低總線電壓保護(hù)、過流保護(hù)和電機(jī)失速保護(hù))使 L6482 器件 “刀槍不入”,滿足最苛刻電機(jī)控制應(yīng)用的要求。
L6482HTR特性
? 工作電壓:7.5 V - 85 V
? 用于 N 溝道 MOSFET 的雙全橋柵極驅(qū)動器
? 完全可編程柵極驅(qū)動
? 嵌入式米勒鉗位功能
? 可編程速度曲線
? 高達(dá) 1/16 微步
? 具有自動適應(yīng)衰減模式的高級電流控制
? 集成穩(wěn)壓器
? SPI 接口
? 低靜態(tài)待機(jī)電流
? 可編程非耗散過流保護(hù)
? 過溫保護(hù)
產(chǎn)品屬性
電機(jī)類型 - 步進(jìn): 雙極性
功能: 控制器 - 換向,方向管理
輸出配置: 前置驅(qū)動器 - 半橋(4)
接口 :SPI
技術(shù) 功率: MOSFET
步進(jìn)分辨率: 1 ~ 1/16
應(yīng)用:通用
電壓 - 供電: 3.3V,5V
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 38-TFSOP(0.173",4.40mm 寬)祼焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 38-HTSSOP
L6482HTR應(yīng)用
? 雙極步進(jìn)電機(jī)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
HTSS0P-28
50000
具有電流調(diào)節(jié)和 PWM 控制功能的 45V、2.5A 雙極步進(jìn)或兩路 H 橋電機(jī)驅(qū)動器 IC
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L99DZ100GPTR
L99DZ100GPTR是門區(qū)系統(tǒng)集成電路,提供具有增強(qiáng)型電源管理功能的電子控制模塊,包括各種待機(jī)模式以及 LIN 和 HS CAN 物理通信層。STM32F105RBT6
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