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ADRF5031BCCZN是一款非反射式 SPDT 開關，采用絕緣體上硅 (SOI) 工藝制造，其工作頻率范圍為 9 kHz 至 20 GHz，插入損耗低于 1.05 dB，隔離度高于 45 dB。該器件采用 ±3.3 V 雙電源電壓工作。此外，ADRF5031BCCZN 采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 和低壓晶體管到晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。

ADRF5031BCCZN的特點包括：

帶寬頻率范圍：9 kHz 至 20 GHz

非反射 50 Ω 設計

低插入損耗

9 kHz 至 6 GHz 范圍內(nèi)典型值為 0.6 dB

6 GHz 至 12 GHz 之間典型值為 0.8 dB

1 dB 典型值，最高 20 GHz

高隔離

9 kHz 至 6 GHz 范圍內(nèi)典型值為 55 dB

6 GHz 至 12 GHz 范圍內(nèi)典型值為 50 dB

然后直至 20 GHz 范圍內(nèi)，典型值為 45 dB

高輸入線性度

P0.1dB：35 dBm（典型值）

IP3：62 dBm（典型值）

高 RF 功率處理能力

直通路徑：峰值 35 dBm，平均 33 dBm

終止路徑：峰值 32 dBm，平均 30 dBm

熱切換（RFC）：峰值 35 dBm，平均 33 dBm

熱切換（RFx）：峰值 32 dBm，平均 30 dBm

與 CMOS/LVTTL 兼容

無低頻雜散；無負電壓發(fā)生器

RF 切換時間：5.0 微秒

RF 建立時間 (0.1 dB)：5.3 微秒

單電源供電能力（VDD = 3.3 V，VSS = 0 V）

20 端子、3 mm x 3 mm LGA 封裝

引腳與 ADRF5023 & ADRF5027 兼容

應用領域

ADRF5031BCCZN廣泛應用于以下領域：

測試儀器儀表

軍用無線電、雷達和電子對抗措施 (ECM)

微波射頻和甚小孔徑終端 (VSAT)

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