FGB5056G2-F085是一款560V N 溝道點火 IGBT,用于 PTC 加熱器和大電流系統(tǒng)應(yīng)用。該器件由(onsemi)生產(chǎn),具有以下規(guī)格:
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):560 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.1V @ 10V,50A
功率 - 最大值:300 W
開關(guān)能量:-
輸入類型:邏輯
柵極電荷:39 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:-
測試條件:-
反向恢復(fù)時間 (trr):7 μs
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:D2PAK
目標應(yīng)用
? PTC 加熱器電路
? 大電流系統(tǒng)
? 點火系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01是一款用于 OBC 的650 V、SiC 功率模塊,由(onsemi)生產(chǎn)。該模塊的導(dǎo)通電阻為32mΩ,具有溫度感應(yīng)功能,熱阻最低,適用于 xEV 中的 DC-DC 和車載充電器。主要特征? 帶 Al2O3 DBC 的 650 V 32 m SiC MOSFET 模塊? 帶 SIP 的 H 橋,用于車載充電器 (OBC…FGB5065G2-F085
FGB5065G2-F085是一款 IGBT 器件,由(onsemi)生產(chǎn),具有以下關(guān)鍵參數(shù):IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):78 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.15V @ 10V,50A功率 - 最大值:300 W開關(guān)能量:-輸入類型:邏輯柵極電荷…NVTFS015P03P8Z
NVTFS015P03P8Z是一款由(onsemi)推出的汽車級功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引線封裝,專為緊湊高效的設(shè)計而設(shè)計,具有高熱性能??蓾裥詡?cè)面選項可用于增強光學(xué)檢查。NVTFS015P03P8Z符合 AEC-Q101 標準,適用于汽車應(yīng)用。技術(shù)規(guī)格FET 類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化…NVMFS2D3P04M8L
NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于P溝道類型,采用 DFN5 封裝,具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為2.2mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+175℃,適用于汽車電子。關(guān)鍵規(guī)格FET 類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化…NTHL040N65S3HF
NTHL040N65S3HF 是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于N溝道類型,采用 SUPERFET III 和 FRFET 技術(shù),具有650V的漏源電壓和65A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為40mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+150℃,適用于各種高功率應(yīng)用場景?。NTHL040N65S3HF具有以下關(guān)鍵…NTH4L040N65S3F
NTH4L040N65S3F是一款由(onsemi)制造的650 V,65 A功率MOSFET,利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻,以及更低門極電荷方面的卓越性能。此先進技術(shù)專用于最大程度降低導(dǎo)電損耗,提供卓越的開關(guān)性能,并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此,NTH4L040N65S3F SUPERFET III…電話咨詢:86-755-83294757
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