商品名稱:IKY40N120CS6
數(shù)據(jù)手冊:IKY40N120CS6.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IKY40N120CS6 1200V TRENCHSTOP? IGBT6設計用于實現(xiàn)高效率、低導通損耗和低開關(guān)損耗。該IGBT6具有如下特性:低柵極電荷、低電磁干擾 (EMI)、可輕松實現(xiàn)并聯(lián)、在硬開關(guān)和諧振拓撲中具有高效率。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):160 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,40A
功率 - 最大值:500 W
開關(guān)能量:1.45mJ(開),1.55mJ(關(guān))
輸入類型:標準
柵極電荷:285 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:27ns/315ns
測試條件:600V,40A,9 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):255 ns
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-4
供應商器件封裝:PG-TO247-4-2
基本產(chǎn)品編號:IKY40N120
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標應用中實現(xiàn)超低導通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
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