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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:NTTFSSCH1D3N04XL

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:ON

年份:25+

封裝:WDFN-9

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
ON
型號
NTTFSSCH1D3N04XL
封裝
WDFN-9
描述
表面貼裝型 N 通道 40 V 207A(Tc) 107W(Tc) 9-WDFN(3.3x3.3)

產(chǎn)品描述

NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計用于處理大電流,這對于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設(shè)計具有超低柵極電荷和1.3mΩ RDS(on) 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR,符合RoHS指令。該NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設(shè)計用于為數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用提供高效解決方案。


主要規(guī)格

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):207A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):1.3 毫歐 @ 24A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 120μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):28 nC @ 6 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3480 pF @ 20 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):107W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝:9-WDFN(3.3x3.3)


應(yīng)用領(lǐng)域

NTTFSSCH1D3N04XL主要用于人工智能數(shù)據(jù)中心的直流-直流轉(zhuǎn)換器 (DC/DC),支持多級電壓轉(zhuǎn)換方案中的大電流處理。


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ISC012N03LF2S

INFINEON

TDSON-8

2000

270 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

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ON

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