商品名稱:NOR 閃存
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:TSOP-56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
S29GL01GS11TFV013是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想選擇,可滿足更高密度、更優(yōu)性能及更低功耗的需求。
S29GL01GS11TFV013特性
? 3.0V CMOS核心架構,配備多功能I/O接口
? 65納米MIRRORBIT? Eclipse技術
? 單電源供電(VCC)支持讀/編程/擦除操作(2.7V至3.6V)
? 多功能I/O特性
- 寬I/O電壓范圍(VIO):1.65V至VCC
? ×16數(shù)據(jù)總線
? 異步32字節(jié)頁讀取
? 512字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 支持頁倍數(shù)編程,最大512字節(jié)
? 單字節(jié)與同字節(jié)多字節(jié)編程選項
? 自動錯誤檢測與糾錯(ECC)——內置硬件ECC支持單比特錯誤糾正
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一128千字節(jié)扇區(qū)
? 編程與擦除操作的暫停/恢復指令
? 通過狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢及就緒/忙引腳判斷設備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護(ASP)
- 每個扇區(qū)支持易失性與非易失性保護機制
? 獨立1024字節(jié)一次性編程(OTP)陣列,含兩個可鎖定區(qū)域
? 通用閃存接口(CFI)參數(shù)表
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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S29GL01GS10FAI013是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…S29GL512S10FAI013
S29GL512S10FAI013是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…S29GL128S11DHBV20
S29GL128S11DHBV20是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…S29GL01GT11TFIV13
S29GL01GT11TFIV13是采用45納米工藝技術制造的MIRRORBIT?閃存產(chǎn)品。該系列器件具備15納秒的快速頁面訪問時間,隨機訪問時間可達100納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想選擇,可滿足更高…S29GL512S11DHI020
S29GL512S11DHI020是采用65納米工藝技術制造的MIRRORBIT? Eclipse閃存產(chǎn)品。該系列器件提供高達15納秒的快速頁面訪問時間,對應隨機訪問時間低至90納秒。其寫入緩沖器支持單次操作編程256字/512字節(jié),有效編程速度超越標準編程算法。此特性使其成為當今嵌入式應用的理想…電話咨詢:86-755-83294757
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