網(wǎng)址：https://www.powersemi.cc/index.html
斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月，專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù)，是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司，并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年在上海交易所主板上市，股票簡稱：斯達(dá)半導(dǎo)，代碼：603290。根據(jù)國際著名市場調(diào)研機構(gòu)Omdia最新報告，2022年公司在全球IGBT模塊市場排名第五，在中國企業(yè)中排名第一。
公司產(chǎn)品分功率芯片和功率模塊兩大類，主要包括IGBT、MOSFET、FRD、SiC芯片和模塊。其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。產(chǎn)品已被成功應(yīng)用于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制、機車牽引、輸變電、白色家電等領(lǐng)域。公司是國內(nèi)新能源汽車市場主電機控制器用大功率車規(guī)級IGBT/SiC模塊的主要供應(yīng)商，2023年車規(guī)級IGBT模塊配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器。
產(chǎn)品圖片
規(guī)格型號
品牌
參數(shù)描述
起訂量
庫存
購買數(shù)量
單價
操作
產(chǎn)品編號：750V/660A 六單元 IGBT模塊，P6封裝
封裝:P6
產(chǎn)品編號：1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:N6
產(chǎn)品編號：1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6
產(chǎn)品編號：1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊
封裝:P6電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
