深圳市明佳達電子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30m? GaN FET器件驅(qū)動器。產(chǎn)品概述: LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度?!?/p>
深圳市明佳達電子有限公司【供求TI】LMG3522R030RQSR 650V 30m? GaN FET器件驅(qū)動器。
產(chǎn)品概述:
LMG3522R030RQSR 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能,適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器。LMG3522R030集成了一個硅驅(qū)動器,可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動器相比,TI GaN FET的集成式精密柵極偏置可實現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成與TI 的低電感封裝相結(jié)合,可在硬開關(guān)電源拓撲中提供干凈的開關(guān)和最小的振鈴??烧{(diào)柵極驅(qū)動強度允許將壓擺率控制在20V/ns至150V/ns之間,可用于主動控制EMI并優(yōu)化開關(guān)性能。
LMG3522R030 650V 30mΩ GaN FET具有高級電源管理特性,包括數(shù)字溫度報告和故障檢測。報告的故障包括過熱、過流和UVLO監(jiān)控。
LMG3522R030RQSR產(chǎn)品規(guī)格:
輸出配置:低端
應(yīng)用:DC 電機,通用
接口:PWM
負載類型:電感,電容性,電阻
技術(shù):NMOS
導(dǎo)通電阻(典型值):26 毫歐
電流 - 輸出/通道:38A
電流 - 峰值輸出:-
電壓 - 供電:7.5V ~ 18V
電壓 - 負載:650V
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
特性:-
故障保護:限流(可調(diào)),超溫,短路,UVLO
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:52-VQFN、52-VQFN(12x12)
LMG3522R030RQSR GaN FET器件設(shè)計可用于:
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
商用電信用整流器
光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
不間斷電源
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