深圳市明佳達電子有限公司最新推出ST IGBT晶體管 STGW25M120DF3 IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3描述該器件是采用先進的專有溝槽柵場停結構開發(fā)的 IGBT。該器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路…
深圳市明佳達電子有限公司最新推出ST IGBT晶體管 STGW25M120DF3 IGBT 溝槽型場截止 1200 V 50 A 375 W 通孔 TO-247-3
描述
該器件是采用先進的專有溝槽柵場停結構開發(fā)的 IGBT。該器件是 M 系列 IGBT 的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能和效率之間的最佳平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，正 VCE（飽和）溫度系數(shù)和緊密的參數(shù)分布使并聯(lián)操作更加安全。
所有功能
最高結溫： TJ = 175 °C
10 μs 的短路耐受時間
低 VCE（飽和）= 1.85 V（典型值）@ IC = 25 A
嚴格的參數(shù)分布
正 VCE（飽和）溫度系數(shù)
低熱阻
軟恢復和快速恢復反并聯(lián)二極管
產(chǎn)品屬性
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極—射極飽和電壓: 1.85 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 326 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: M
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
產(chǎn)品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: IGBTs
單位重量: 38 g
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