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供應(yīng)存儲IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 閃存

來源：本站時間：2023-12-12瀏覽數(shù)：

明佳達(dá)電子進(jìn)口原裝供應(yīng)存儲IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 閃存，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，歡迎致電！器件概述S25FL128SAGMFI000 NOR 閃存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存儲器，采用 65 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)。128-Mb S25FL12…

明佳達(dá)電子進(jìn)口原裝供應(yīng)存儲IC S25FL128SAGMFI000 128Mb 3V 133MHz 串行 NOR 閃存，質(zhì)量保證，價格優(yōu)勢，歡迎致電！

器件概述

S25FL128SAGMFI000 NOR 閃存器件是一款 2.7V 至 3.6V / 1.65V 至 3.6V VIO 伏特非易失性存儲器，采用 65 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)。128-Mb S25FL128S FL-S NOR 采用帶頁編程緩沖器的 Eclipse 架構(gòu)設(shè)計，允許用戶在一次操作中編程多達(dá) 128 個字（256 字節(jié)），與上一代 SPI 編程或擦除算法相比，編程和擦除速度更快。該器件通過串行外設(shè)接口（SPI）連接到主機(jī)系統(tǒng)，支持傳統(tǒng)的 SPI 單位串行輸入和輸出（Single I/O 或 SIO）、可選的兩位（Dual I/O 或 DIO）和四位（Quad I/O 或 QIO）串行命令。

作為 FL-S 系列的一部分，S25FL128S FL-S NOR 支持 SIO、DIO 和 QIO 的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令，可在時鐘的兩個邊沿上傳輸?shù)刂泛妥x取數(shù)據(jù)。在 QIO 或 DDR-QIO 命令支持的更高時鐘速率下使用 FL-S 器件，指令讀取傳輸速率可與傳統(tǒng)的并行接口異步 NOR 閃存相媲美，甚至更快，同時還能顯著減少信號數(shù)量。S25FL128S FL-S NOR 不僅具有高密度性能，還具有各種嵌入式應(yīng)用所需的靈活性和速度。

產(chǎn)品特點(diǎn)

具有多功能 I/O 的 3.0 伏 CMOS 內(nèi)核
多輸入/輸出串行外設(shè)接口 (SPI)
SPI 時鐘極性和相位模式 0 和 3
雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）選項
24 位或 32 位擴(kuò)展尋址選項
串行命令集和占位面積與 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容
多 I/O 命令集和基底面與 S25FL-P SPI 系列兼容
讀取命令
普通、快速、雙通道、四通道、快速 DDR、雙通道 DDR、四通道 DDR
自動啟動 - 開機(jī)或復(fù)位，在預(yù)選地址自動執(zhí)行普通或四通道讀取命令
用于配置信息的通用閃存接口 (CFI) 數(shù)據(jù)
編程（1.5 Mbytes/s）
256 或 512 字節(jié)頁面編程緩沖區(qū)選項
用于慢時鐘系統(tǒng)的四輸入頁面編程 (QPP)
自動 ECC - 內(nèi)部硬件糾錯碼生成與單位糾錯
擦除（0.5 至 0.65 Mbytes/秒）
混合扇區(qū)大小選項：地址空間頂部或底部有 32 個 4 字節(jié)的物理扇區(qū)，其余所有扇區(qū)均為 64 字節(jié)，與上一代 S25FL 設(shè)備兼容
統(tǒng)一扇區(qū)選項--始終擦除 256 千字節(jié)塊，以便在軟件上與更高密度和未來的設(shè)備兼容