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最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）MASTERGAN4（ST）采用兩個(gè)增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動(dòng)器。概述：MasterGaN4是一款先進(jìn)的電源系統(tǒng)級(jí)封裝，在半橋配置中集成了一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)型GaN功率晶體管。集成電源GAN具有650 V漏源阻斷電壓和225 m?的…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）MASTERGAN4（ST）采用兩個(gè)增強(qiáng)型GaN HEMT的高功率密度6.5A半橋驅(qū)動(dòng)器。
概述：
MasterGaN4是一款先進(jìn)的電源系統(tǒng)級(jí)封裝，在半橋配置中集成了一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)增強(qiáng)型GaN功率晶體管。集成電源GAN具有650 V漏源阻斷電壓和225 m?的RDS（ON），而嵌入式柵極驅(qū)動(dòng)器的高端可通過(guò)集成自舉二極管輕松供電。
MasterGaN4在較低和較高驅(qū)動(dòng)部分均具有UVLO保護(hù)功能，可防止電源開(kāi)關(guān)在低效率或危險(xiǎn)條件下工作，聯(lián)鎖功能可避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)情況。
輸入引腳的擴(kuò)展范圍允許與微控制器、DSP單元或霍爾效應(yīng)傳感器輕松接口。
MasterGaN4可在-40°C至125°C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。該器件采用緊湊型9x9 mm QFN封裝。
產(chǎn)品特性：
電源系統(tǒng)級(jí)封裝，集成半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和高壓GaN晶體管：
BVDSS=650V
RDS(ON)=150mΩ
IDS(MAX)=10A
反向電流能力
零反向恢復(fù)損耗
低側(cè)和高側(cè)UVLO保護(hù)
內(nèi)置自舉二極管
聯(lián)鎖功能
專(zhuān)用引腳，用于關(guān)斷功能
精確的內(nèi)部時(shí)序匹配
3.3V至15V兼容輸入，具有遲滯和下拉功能
過(guò)溫保護(hù)
材料清單減少
超緊湊、簡(jiǎn)化的布局
靈活、簡(jiǎn)單、快速的設(shè)計(jì)
應(yīng)用：
?開(kāi)關(guān)模式電源
?充電器和適配器
?高壓PFC、DC-DC和DC-AC轉(zhuǎn)換器
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時(shí)間：2025-05-12
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