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意法半導(dǎo)體 STL33N60DM2 功率MOSFET N溝道600 V、0.115 Ohm典型值

來(lái)源：本站時(shí)間：2024-01-10瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子有限公司意法半導(dǎo)體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！產(chǎn)品型號(hào)：STL33N60DM2系列： MDmesh? DM2 產(chǎn)品狀態(tài)：在售 FET 類型： N 通道技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）： 600 V 25C 時(shí)電流 - 連…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司意法半導(dǎo)體 STL33N60DM2 N 溝道 FDmesh II Plus? 功率 MOSFET，全新原裝，質(zhì)量保證！

產(chǎn)品型號(hào)：STL33N60DM2

系列： MDmesh? DM2

產(chǎn)品狀態(tài)：在售

FET 類型： N 通道

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：21A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 140 毫歐 @ 10.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 43 nC @ 10 V

Vgs（最大值）： ±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1870 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝： PowerFlat?（8x8）HV

封裝/外殼： 8-PowerVDFN

介紹

意法半導(dǎo)體 MDmesh DM2 系列是意法半導(dǎo)體最新的快速恢復(fù) 二極管系列 600V 功率 MOSFET，特別適合 ZVS 相移橋拓?fù)?。它們具有非常小的恢?fù)電荷和時(shí)間(Qrr, trr)，并有低 20% 的 RDS（on）（相比前一代產(chǎn)品）。高 dV/dt 強(qiáng)度（40V/ns），確保更高系統(tǒng)可靠性。

特性