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LPDDR5內(nèi)存IC MT62F1G64D8WT-031?XT:B_MT62F1G64D8WT-031?AV?XT:B 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝【供應(yīng)】【收購】LPDDR5內(nèi)存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 LPDDR5 64G 1GX64 FBGA介紹Micron移動(dòng)設(shè)備和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM設(shè)計(jì)用于滿足5G網(wǎng)絡(luò)的需求。 DRAM支持5G智能手機(jī)以高達(dá)6.…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝【供應(yīng)】【收購】LPDDR5內(nèi)存IC MT62F1G64D8WT-031 XT:B_MT62F1G64D8WT-031 AV XT:B 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 LPDDR5 64G 1GX64 FBGA
介紹
Micron移動(dòng)設(shè)備和人工智能 (AI) 用LPDDR5 DRAM設(shè)計(jì)用于滿足5G網(wǎng)絡(luò)的需求。 DRAM支持5G智能手機(jī)以高達(dá)6.4Gbps的峰值速度處理數(shù)據(jù)。這對(duì)于防止5 G數(shù)據(jù)瓶頸至關(guān)重要。LPDDR 5 DRAM可以滿足這些要求，數(shù)據(jù)訪問速度提升50%。與前幾代產(chǎn)品相比，該器件的功效也增加20%以上。
產(chǎn)品特性
? Micron先進(jìn)的1y納米節(jié)點(diǎn)，具有12GB容量，數(shù)據(jù)速度為6.4Gbps，改進(jìn)了整體DRAM設(shè)計(jì)
? 帶寬提升超過50%，提升5G和AI等下一代旗艦智能手機(jī)的性能
? 可在Edge+智能手機(jī)上實(shí)現(xiàn)下一代功能
? 與LPDDR4 相比，電源效率提高了20%以上，因此旗艦智能手機(jī)能夠在充電之間運(yùn)行更長時(shí)間
規(guī)格參數(shù)
芯片組驗(yàn)證：N/A
周期時(shí)間：6400 MB/s
存儲(chǔ)容量：64Gb
FBGA 電碼：D9ZNT
工作溫度：-25°C ~ +85°C
技術(shù)：LPDDR5
寬度：x64
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