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ADI HMC517LC4TR 高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵 pHEMT MMIC 低噪聲放大器

ADI HMC517LC4TR 高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵 pHEMT MMIC 低噪聲放大器

來源:本站時(shí)間:2025-07-05瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC517LC4TR 高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵 pHEMT MMIC 低噪聲放大器深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,長(zhǎng)期供應(yīng)ADI的HMC517LC4TR高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵pHEMT MMIC低噪聲放大器。這款高性能射頻器件在17-26GHz頻段內(nèi)展現(xiàn)出卓越的…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng) ADI HMC517LC4TR 高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵 pHEMT MMIC 低噪聲放大器


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商,長(zhǎng)期供應(yīng)ADI的HMC517LC4TR高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵pHEMT MMIC低噪聲放大器。這款高性能射頻器件在17-26GHz頻段內(nèi)展現(xiàn)出卓越的電氣特性,廣泛應(yīng)用于點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電、VSAT系統(tǒng)、測(cè)試設(shè)備等高端領(lǐng)域。


HMC517LC4TR產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格:

HMC517LC4TR是一款高動(dòng)態(tài)范圍砷化鎵偽晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)單片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器。該產(chǎn)品采用符合RoHS規(guī)范的無鉛表面貼裝技術(shù)(SMT)封裝,工作頻率覆蓋17GHz至26GHz,屬于Ka波段微波器件,在衛(wèi)星通信、5G毫米波和雷達(dá)系統(tǒng)中具有重要應(yīng)用價(jià)值。


從封裝形式來看,HMC517LC4TR采用LGA-24封裝,尺寸為4x4毫米,符合現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、高集成度的設(shè)計(jì)趨勢(shì)。這種封裝不僅具有良好的熱性能,便于散熱管理,而且與大批量表面貼裝制造技術(shù)兼容,大大簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程。


HMC517LC4TR的主要技術(shù)參數(shù)包括:

工作頻率范圍:17GHz至26GHz,覆蓋Ka波段

小信號(hào)增益:19dB(典型值),提供穩(wěn)定的信號(hào)放大能力

噪聲系數(shù):2.5dB,在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)優(yōu)異

輸出三階交調(diào)點(diǎn)(OIP3):+23dBm,展現(xiàn)出色的線性性能

1dB壓縮點(diǎn)輸出功率(P1dB):+13dBm,確保足夠的輸出功率余量

工作電壓:?jiǎn)坞娫?3V供電,簡(jiǎn)化系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)

工作電流:67mA,功耗控制合理


HMC517LC4TR的一個(gè)顯著設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)是其完全集成的50歐姆匹配網(wǎng)絡(luò),這意味著工程師在應(yīng)用該器件時(shí)無需額外設(shè)計(jì)復(fù)雜的阻抗匹配電路,也不需要任何外部元件,極大地簡(jiǎn)化了射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程,降低了開發(fā)難度和BOM成本。輸入和輸出端口均采用標(biāo)準(zhǔn)50Ω設(shè)計(jì),進(jìn)一步方便了系統(tǒng)集成。


HMC517LC4TR性能特點(diǎn)與設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì):

HMC517LC4TR作為一款基于砷化鎵pHEMT工藝的MMIC低噪聲放大器,在射頻性能、集成度和可靠性方面具有多重優(yōu)勢(shì),使其成為高頻應(yīng)用中的理想選擇。


寬頻帶性能是該放大器的突出特點(diǎn)之一。17GHz至26GHz的連續(xù)工作頻帶覆蓋了Ka波段的重要射頻頻段。這種寬頻帶特性使單一器件就能滿足多種應(yīng)用需求,大大減少了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的頻帶切換復(fù)雜度,同時(shí)也降低了物料管理和庫存成本。


在噪聲性能方面,HMC517LC4TR提供了2.5dB的噪聲系數(shù),這在Ka波段放大器中屬于極低水平。低噪聲特性使其特別適合用作接收機(jī)前端的第一級(jí)放大器,能夠最大限度地降低系統(tǒng)噪聲系數(shù),提高接收靈敏度。與傳統(tǒng)的硅基放大器相比,基于砷化鎵pHEMT技術(shù)的這款器件在噪聲性能、頻率特性和溫度穩(wěn)定性方面都有明顯優(yōu)勢(shì)。


高線性度是HMC517LC4TR的另一大亮點(diǎn)。+23dBm的輸出三階交調(diào)點(diǎn)(OIP3)和+13dBm的1dB壓縮點(diǎn)輸出功率使其能夠處理高動(dòng)態(tài)范圍信號(hào)而不引入明顯的互調(diào)失真。這一特性使其不僅適合用作低噪聲放大器,還可以作為平衡、I/Q或圖像抑制混頻器的LO(本地振蕩器)驅(qū)動(dòng)器使用。

系統(tǒng)集成便利性方面,完全集成的50歐姆輸入輸出匹配省去了外部匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)煩惱,表面貼裝封裝(SMT)則與現(xiàn)代PCB組裝工藝完美兼容。這些特性共同使該器件成為"即插即用"的射頻解決方案,顯著縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期。


從可靠性角度看,砷化鎵pHEMT技術(shù)本身就具有高溫工作能力和良好的抗輻射性能,加上ADI嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系,確保了HMC517LC4TR在苛刻環(huán)境下的穩(wěn)定工作。


HMC517LC4TR典型應(yīng)用領(lǐng)域:

點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電通信是該放大器的主要應(yīng)用場(chǎng)景之一。在微波鏈路系統(tǒng)中,HMC517LC4TR常被用作射頻前端低噪聲放大器。其寬頻帶特性特別適合多頻段工作的微波通信系統(tǒng),而低噪聲系數(shù)則確保了系統(tǒng)的高接收靈敏度。19dB的增益可以有效補(bǔ)償傳輸路徑中的損耗,提升系統(tǒng)整體信噪比。


衛(wèi)星通信系統(tǒng),特別是VSAT(甚小孔徑終端)設(shè)備,是該放大器的另一重要應(yīng)用領(lǐng)域。在Ka波段(26.5-40GHz)的衛(wèi)星通信中,HMC517LC4TR可以作為下變頻器前的低噪聲放大級(jí),其穩(wěn)定的性能和緊湊的封裝特別適合空間受限的VSAT終端設(shè)備。2.5dB的噪聲系數(shù)對(duì)于衛(wèi)星接收系統(tǒng)尤為重要,因?yàn)樗苯佑绊懻麄€(gè)鏈路的G/T值(品質(zhì)因數(shù))。


測(cè)試測(cè)量設(shè)備對(duì)HMC517LC4TR有著持續(xù)的需求。在微波信號(hào)源和頻譜分析儀等儀器中,該放大器可以作為信號(hào)調(diào)理模塊,提供必要的增益和低噪聲特性。17-26GHz的寬頻帶覆蓋減少了測(cè)試系統(tǒng)中所需的放大器數(shù)量,簡(jiǎn)化了儀器設(shè)計(jì)。


軍用電子系統(tǒng)也是HMC517LC4TR的重要市場(chǎng)。在電子戰(zhàn)(EW)和電子對(duì)抗(ECM)設(shè)備中,該放大器可用于接收機(jī)前端或干擾信號(hào)生成鏈。寬頻帶特性使其能夠覆蓋多種威脅頻率,而砷化鎵工藝固有的抗輻射能力則增強(qiáng)了在惡劣電磁環(huán)境中的可靠性。


此外,HMC517LC4TR還非常適合用作混頻器的本地振蕩器(LO)驅(qū)動(dòng)器。在超外差接收機(jī)架構(gòu)中,驅(qū)動(dòng)混頻器LO端口需要足夠的功率以確保良好的轉(zhuǎn)換效率,同時(shí)要求低相位噪聲以避免惡化系統(tǒng)噪聲性能。這款放大器的高線性度和適中功率水平使其成為L(zhǎng)O驅(qū)動(dòng)的理想選擇。


5G毫米波通信是HMC517LC4TR的潛在新興應(yīng)用領(lǐng)域。隨著5G向更高頻段擴(kuò)展,24GHz至40GHz頻段將用于5G毫米波通信。HMC517LC4TR的17-26GHz工作范圍可以支持這些系統(tǒng)的中頻處理部分。


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