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明佳達供求集成驅動器 LMG3411R070 LMG3411R070RWHR P通道 12A 32-VQFN
型號：LMG3411R070 LMG3411R070RWHR
年份：21+
封裝：VQFN32
說明：
具有集成驅動器和保護功能的 LMG341xR070 GaN 功率級使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復以將開關損耗降低多達 80%，以及低開關節(jié)點振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢支持密集且高效的拓撲，例如圖騰柱 PFC。
LMG341xR070 通過集成一組獨特的功能來簡化設計、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成柵極驅動可實現(xiàn) 100V/ns 開關，Vds 振鈴接近零，<100ns 電流限制自我保護以防止意外擊穿事件，過熱關斷防止熱失控，系統(tǒng)接口信號提供自我監(jiān)控能力。
產(chǎn)品屬性
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: High-Side, Low-Side
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-32
激勵器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
電源電壓-最小: 9.5 V
電源電壓-最大: 18 V
上升時間: 15 ns
下降時間: 4.2 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: LMG3411R070
最大關閉延遲時間: 10 ns
最大開啟延遲時間: 12 ns
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 43 mA
輸出電壓: 5 V
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
傳播延遲—最大值: 36 ns
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
子類別: PMIC - Power Management ICs
商標名: GaN
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