最新資訊概述：NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)…
概述：
NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有PPAP功能。該MOSFET適合用于電池反向保護(hù)、電源開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)電源以及其他需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車(chē)應(yīng)用。
主要特性：
占位面積小 (5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊
低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗
QG 和電容較小，可使驅(qū)動(dòng)器損耗最小化
漏極-源極電壓（VDSS）：60V
連續(xù)漏極電流（ID）：50A（TC = 25°C時(shí)）
漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：9.2mΩ
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)LFPAK4封裝
符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能
無(wú)鉛，符合RoHS指令
應(yīng)用
反向電池保護(hù)
電源開(kāi)關(guān)（如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和半橋）
電磁驅(qū)動(dòng)器
電機(jī)控制
負(fù)載開(kāi)關(guān)
開(kāi)關(guān)電源
封裝尺寸
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