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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

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品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

NVH4L032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025W120G3AG
ST

產(chǎn)品說明：1200 V 汽車級(jí)碳化硅功率 MOSFET，27mΩ，56 A，HiP247

封裝：HiP247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，32 mohm，650 V，M3S，D2PAK-7L

封裝：D2PAK-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC，32 mohm，650 V，M3S，D2PAK-7L

封裝：D2PAK-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

產(chǎn)品說明：1200V, 180 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

產(chǎn)品說明：700V，60 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC360SMA120SCT

產(chǎn)品說明：1200V，360 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：PSMT-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SCT

產(chǎn)品說明：1200V，80 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：PSMT-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC090SMA070SCT

產(chǎn)品說明：700V，90 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：PSMT-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SCT

產(chǎn)品說明：700V，60 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：PSMT-16
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC400SMA330B4N

產(chǎn)品說明：3300 V，400 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA330B4N

產(chǎn)品說明：3300 V，80 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120B4N

產(chǎn)品說明：1200V，40 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070B4N

產(chǎn)品說明：700V，35 mΩ 碳化硅（SiC）N 溝道 MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共365記錄?上一頁1234...23下一頁?
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