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IPP200N15N3G 是一款高壓功率 MOSFET，屬于 N 溝道增強型器件。該型號廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域，具有高耐壓、低導通電阻和快速開關(guān)特性等優(yōu)點，適合在高頻條件下使用。

IPP200N15N3G 功能特性

高額定電壓：能夠支持高達 1500V 的漏源電壓，適用于高壓應用場景。

大電流能力：連續(xù)漏極電流可達 200A，滿足大功率應用需求。

低導通電阻：僅為 1.8mΩ，減少了導通狀態(tài)下的功率損耗。

快速開關(guān)性能：優(yōu)化的柵極電荷設計使得 IPP200N15N3G 在高頻條件下表現(xiàn)優(yōu)異，提高了整體效率。

高溫穩(wěn)定性：能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，適用于惡劣環(huán)境條件。

強大的散熱性能：采用 TO-247 封裝，具有良好的熱傳導特性，有助于延長器件壽命。

IPP200N15N3G 參數(shù)

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 20 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 23 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

應用

IPP200N15N3G 主要應用于以下領(lǐng)域：

開關(guān)電源 (SMPS)：用于高效能電力轉(zhuǎn)換。

DC-DC 轉(zhuǎn)換器：實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓調(diào)節(jié)功能。

電機驅(qū)動：適用于工業(yè)設備中的大功率電機控制。

太陽能逆變器：提升能量轉(zhuǎn)換效率。

電動汽車及混合動力汽車 (EV/HEV)：在電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動中發(fā)揮重要作用。

工業(yè)自動化：如焊接設備和不間斷電源系統(tǒng) (UPS) 等。

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