STW6N95K5 是一款由 STMicroelectronics(意法半導(dǎo)體)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET,屬于 SuperMESH? 5 系列。該器件采用 TO-247-3 封裝,具有 950V 的漏源電壓(Vdss)和 9A 的連續(xù)漏極電流(Id)。它適用于需要高電壓和高電流的開關(guān)應(yīng)用。
STW6N95K5 特性
? 業(yè)界最低的RDS(on)×面積比
? 業(yè)界最佳的性能指標(biāo)(FoM)
? 超低柵極電荷
? 100%雪崩測試
? 齊納二極管保護(hù)
STW6N95K5 規(guī)格參數(shù)
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 950 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.25 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 13 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 90 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
STW6N95K5 應(yīng)用
? 開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開關(guān)性能
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
L6498DTR
L6498DTR是一款采用BCD6“離線”工藝制造的高壓器件,屬于單芯片半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于N溝道功率MOSFET或IGBT。A7986ATR
A7986ATR是一款內(nèi)置3.7 A(最小)限流功率MOSFET的降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,可根據(jù)應(yīng)用條件向負(fù)載提供最高3 A電流。輸入電壓范圍為4.5 V至38 V,輸出電壓可設(shè)置為0.6 V至VIN之間的任意值。該器件僅需極少外部元件,內(nèi)置250kHz開關(guān)頻率振蕩器(可外接調(diào)整至1MHz)。采用帶裸露焊盤…SPV1050TTR
SPV1050TTR是一款超低功耗、高效率的電源管理器,內(nèi)置四個(gè)MOSFET用于升壓或降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器,并額外配備一個(gè)用于負(fù)載連接/斷開的晶體管。STM32H7A3VGH6
STM32H7A3VGH6 是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的一款高性能微控制器,屬于 STM32H7 系列。VN7050ASTR
VN7050ASTR 采用意法半導(dǎo)體專有的VIPower M0-7技術(shù)制造,為單通道高側(cè)驅(qū)動(dòng)器,于SO-8封裝中。STD10NM60N
STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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