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IMBG65R057M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的Infineon 碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強可靠性。

器件：IMBG65R057M1HXTMA1

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：39A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：74 毫歐 @ 16.7A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：930 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：161W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：IMBG65

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