商品名稱:STGWA75H65DFB2
數(shù)據(jù)手冊:STGWA75H65DFB2.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT基于先進、專有溝槽柵極場終止結(jié)構(gòu)演進而來。HB2系列以較低的電流值和較低的開關(guān)能量,通過高級VCE(sat) 優(yōu)化導通。HB2 IGBT在75A IC時具有1.55V(典型值)低 VCE(sat)。
STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT包括反向并聯(lián)的超快軟恢復二極管。因此,STGWA75H65DFB2專門設(shè)計用于最大限度地提高效率,適合用于各種快速應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: IGBT 晶體管
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.55 V
柵極/發(fā)射極最大電壓: - 20 V, 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 115 A
Pd-功率耗散: 375 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
應(yīng)用
焊接
功率因數(shù)校正
不間斷電源
太陽能逆變器
充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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