商品名稱:STM32L475RCT7
數據手冊:STM32L475RCT7.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數量:2000 件
STM32L475RCT7 STM32L4 MCU基于高性能的 ARM?Cortex?-M4 32位RISC內核,其主頻高達 80MHz。該微控制器有64個引腳、閃存容量為256KB、RAM容量為128KB,非常適用于物聯(lián)網(IoT)設備、工業(yè)自動化、醫(yī)療設備、消費電子產品、能源管理和安全系統(tǒng)等應用。
規(guī)格
核心處理器:ARM? Cortex?-M4
內核規(guī)格:32 位單核
速度:80MHz
連接能力:CANbus,I2C,IrDA,LINbus,MMC/SD,QSPI,SAI,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG
外設:欠壓檢測/復位,DMA,PWM,WDT
I/O 數:51
程序存儲容量:256KB(256K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?28K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 3.6V
數據轉換器:A/D 16x12b;D/A 2x12b
振蕩器類型:內部
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:64-LQFP
供應商器件封裝:64-LQFP(10x10)
基本產品編號:STM32L475
型號
品牌
封裝
數量
描述
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STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…STGW40H120DF2
STGW40H120DF2是一種IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),屬于H系列,具有1200V的耐壓和40A的電流處理能力。?該器件采用先進的溝槽柵場截止結構,具有高效能、快速開關和低導通損耗的特點。其技術規(guī)格如下:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - …STGW30V60DF
STGW30V60DF是一款600V超高速溝槽柵場截止V系列IGBT,采用TO-247-3封裝,適用于需要高速開關和高效率的應用場景?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A電流 - 集電極脈沖 …電話咨詢:86-755-83294757
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