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NTMYS011N04CTWG 是單N通道工業(yè)用功率MOSFET，采用小尺寸LFPAK4 (5mm x 6mm)封裝，非常適合用于緊湊型設(shè)計(jì)。該器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，并具有低柵極電荷和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些工業(yè)級(jí)功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，具有較寬的工作溫度范圍（-55°C至+175°）。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：13A（Ta），35A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：7.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），28W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號(hào)：NTMYS011

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