STB36N60M6 MDmesh? M6 MOSFET將低柵極電荷 (Qg) 和經(jīng)過優(yōu)化的電容曲線相結(jié)合,設(shè)計用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的全新拓撲中實現(xiàn)高效率。該器件具有600 V工作電壓,適用于工業(yè)應(yīng)用,包括充電器、適配器、銀盒模塊、LED照明、電信、服務(wù)器和太陽能。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):99 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):44.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1960 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):208W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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