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AIMZH120R060M1T憑借英飛凌的性能優(yōu)化芯片技術（Gen1p），SiC Mosfet 具有同類最佳的開關性能、對寄生開通的穩(wěn)健性以及改進的 RDSon 和 Rth(j-c)。高功率密度、卓越的效率、雙向充電能力和顯著降低的系統(tǒng)成本，使其成為車載充電器和 DCDC 應用的理想選擇。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiC（碳化硅結晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：38A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：75 毫歐 @ 13A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.1V @ 4.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：32 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：880 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：197W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質：AEC-Q101

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO247-4-11

封裝/外殼：TO-247-4

應用

車載充電器和PFC

升壓器和直流/直流轉換器

輔助逆變器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。