商品名稱:NTH4L075N065SC1
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTH4L075N065SC1.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
NTH4L075N065SC1(SiC)MOSFET采用TO-247-4L封裝,用于實(shí)現(xiàn)快速而堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。該器件具有10倍介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)和2倍電子飽和速度,還具有3倍能量帶隙和3倍熱導(dǎo)率。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):38A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):85 毫歐 @ 15A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.3V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):61 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1196 pF @ 325 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):148W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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