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產(chǎn)品分類

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商品型號:DIF120SIC053-AQ

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Diotec

年份:25+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Diotec
型號
DIF120SIC053-AQ
封裝
TO-247-4
描述
1200V,65A,SiC MOSFET 晶體管,TO-247-4

產(chǎn)品描述

DIF120SIC053-AQ:SiC MOSFET 晶體管——高速高壓(功率)開關(guān),TO-247-4


型號:DIF120SIC053-AQ

封裝:TO-247-4

類型:SiC MOSFET 晶體管


DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品屬性:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiCFET(碳化硅)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):65A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):53 毫歐 @ 33A,18V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 9.5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):121 nC @ 15 V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2070 pF @ 1000 V

功率耗散(最大值):278W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-247-4


DIF120SIC053-AQ 產(chǎn)品特征:

碳化硅寬帶隙材料

較大的間隙和爬電空間

開爾文源可實現(xiàn)快速開關(guān)并

降低柵極噪聲水平

低導(dǎo)通電阻

開關(guān)時間快

柵極電荷低


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